半導体ウエハ用マグネトロンスパッタリングコーティング装置

均一なガスフローと優れた膜の均一性 D字型の弧状内 chamber は、直角のデッドゾーンをなくし、アルゴンガスや反応性ガスのスムーズな流れを実現します。ガス分配の均一性が向上します。

高い真空ポンプの排気速度と、最小限の残留汚染。 弧状の chamber 設計は、低い空気抵抗を実現し、分子ポンプのデッドゾーンをなくします。同一のポンプ構成を使用することで、効率的な排気が可能です。

高い空間利用率と、様々なサンプル仕様への対応。 平らな側面と曲線的な側面を組み合わせた設計により、平らな基板ホルダーや、垂直型のサンプルラックに対応できます。

視覚的なモニタリングにより、直感的で制御可能な実験プロセスを実現。 曲線的な側面に標準装備された大型の強化ガラス製の真空観察窓により、遮るもののない視界を提供し、実験状況を容易に確認できます。